«Роснано» осталось без американского оборудования для изготовления чипов
«Мы находимся на завершающей стадии строительства крупного предприятия «Крокус наноэлектроника» в технополисе «Москва» по производству магниторезистивной памяти (MRAM). Часть оборудования должна была поставить американская Applied Materials, но отказалась», — пояснил Чубайс.
Он подчеркнул, что отказ американцев от сотрудничества не привел к срыву пуска завода. О поставке необходимого оборудования договорились с поставщиком из Китая. «Это пример, когда мы сумели быстро найти решение», — заключил глава «Роснано».
Первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров компания «Крокус Наноэлектроника» — совместное предприятие «Роснано» и Crocus Technology — запустила в октябре 2013 года. Общий объем инвестиций в проект превышает €200 млн, включая софинансирование «Роснано» в размере €100 млн. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит $8 млрд.
Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания.
Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость считывания и записи информации и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.